SEMICONDUCTER DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF

본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는 기판 상에 배치되는 제1 층간 절연층; 상기 제1 층간 절연층 내에 배치되되, 상기 제1 층간 절연층의 상부면 대비 돌출된 돌출부를 가지는 제1 도전성 라인; 상기 제1 층간 절연층 및 상기 제1 도전성 라인 상에 배치되는 식각 정지층; 및 상기 식각 정지층을 관통하여 상기 제1 도전성 라인에 접촉하는 비아를 포함하고, 상기 식각 정지층은 단면상에서 곡면 형상을 가지는 제1 식각 정지층 및 상기 제1 식각 정지층 상에 형성되며 두께 편차를 가지는 제2 식각 정지층을 포함한다. A semiconductor device includes: a first interlayer insulating layer (10) disposed on a substrate; a first conductive line (Ma1) disposed in the first interlayer insulating layer (10) and having a protrusion protruding above an upper side of the first interlayer insulating layer (10); an etch stop layer (30) disposed on the first interlayer insulating layer (10) and the first conductive line (Ma1); and a via (50) passing through the etch stop layer (30) and contacting the first conductive line (Ma1), wherein the etch stop layer (30) includes a first etch stop layer (31) having a curved shape in a cross-sectional view and a second etch stop layer (32) disposed on the first etch stop layer (31) and having a thickness variation.