APPARATUS AND METHOD FOR ELECTODEPOSITION OF METALS WITH USE OF AN IONICALLY RESISTIVE IONICALLY PERMEABLE ELEMENT HAVING SPATIALLY TAILORED RESISTIVITY

개선된 도금 균일성을 갖는 반도체 기판 상에 금속을 전기도금하기 위한 장치는, 일 양태에서, 전해질 및 애노드를 담도록 구성된 도금 챔버; 반도체 기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; 및 실질적으로 평탄한 기판을 마주보는 표면 및 반대되는 표면을 포함하는 이온 저항성 이온 투과성 엘리먼트를 포함하고, 이온 저항성 이온 투과성 엘리먼트는 전기도금 동안 이온 전류로 하여금 기판을 향해 흐르게 하고, 이온 저항성 이온 투과성 엘리먼트는 변동된 국부적 저항률을 갖는 영역을 포함한다. 일 예에서 이온 저항성 이온 투과성 엘리먼트의 저항률은 이온 저항성 이온 투과성 엘리먼트의 두께가 변동함에 따라 변동된다. 일부 실시예들에서, 이온 저항성 이온 투과성 엘리먼트의 두께는 이온 저항성 이온 투과성 엘리먼트의 에지로부터 중심으로 방사상 방향으로 점진적으로 감소된다. 제공된 장치 및 방법들은 WLP 리세스된 피처들 내에 금속을 전기도금하기 위해 특히 유용하다. An apparatus for electroplating metal on a semiconductor substrate with improved plating uniformity includes in one aspect: a plating chamber configured to contain an electrolyte and an anode; a substrate holder configured to hold the semiconductor substrate; and an ionically resistive ionically permeable element comprising a substantially planar substrate-facing surface and an opposing surface, wherein the element allows for flow of ionic current towards the substrate during electroplating, and wherein the element comprises a region having varied local resistivity. In one example the resistivity of the element is varied by varying the thickness of the element. In some embodiments the thickness of the element is gradually reduced in a radial direction from the edge of the element to the center of the element. The provided apparatus and methods are particularly useful for electroplating metal in WLP recessed features.