프로세스 챔버에서 제5 족 원소를 포함하는 층을 증착시키고 그리고 프로세스 챔버의 후속 세정을 위한 방법 및 디바이스

본 발명은, CVD 반응기에서 기판(6) 상에 제5 족 요소를 포함하는 층들을 증착시키기 위한 방법에 관한 것이며, 이 방법에서, 프로세스 가스는 프로세스 챔버(2) 내로 중심 가스 유입 요소(11)를 통해 이송되고 그리고 반경방향으로 프로세스 챔버(2)를 통해 유동한다. 층이 증착된 후에, 프로세스 챔버(2)가 세정되며, 프로세스 챔버(2)는 제1 세정 온도(T1)로 가열되며; 제1 세정 온도(T2)에 도달된 후에, 할로겐 또는 할로겐 화합물은 제1 세정 단계(21)에서 프로세스 챔버(2) 내로 이송되며; 제1 세정 단계(21) 후에, 프로세스 챔버(2)는 제2 세정 온도(T2)로 보내지며; 제2 세정 온도(T2)에 도달한 후에, O2는 제2 세정 단계(22)에서 프로세스 챔버(2) 내로 이송되며; 제2 세정 단계(22) 후에, 프로세스 챔버(2)는 제3 세정 온도(T3)로 보내지며; 제3 세정 온도(T2)에 도달한 후에, 실질적으로 단지 H2가 제3 세정 단계(23)에서 프로세스 챔버(2) 내로 이송되며; 그리고 상기 제3 세정 단계(23) 후에, 상기 프로세스 챔버(2)가 냉각된다(24). The invention relates to a method for depositing layers containing a group five element on a substrate (6) in a CVD reactor, in which method the process gas is fed into the process chamber (2) through a central gas inlet element (11) and flows through the process chamber (2) in the radial direction. After the layer has been deposited, the process chamber (2) is cleaned, wherein the process chamber (2) is heated to a first cleaning temperature (T1); wherein, after the first cleaning temperature (T2) has been reached, a halogen or a halogen compound is fed into the process chamber (2) in a first cleaning step (21); wherein, after the first cleaning step (21), the process chamber (2) is brought to a second cleaning temperature (T2); wherein, after the second cleaning temperature (T2) has been reached, O2 is fed into the process chamber (2) in a second cleaning step (22); wherein, after the second cleaning step (22), the process chamber (2) is brought to a third cleaning temperature (T3); wherein, after the third cleaning temperature (T2) has been reached, substantially only H2 is fed into the process chamber (2) in a third cleaning step (23); and wherein, after the third cleaning step (23), the process chamber (2) is cooled (24).