이온 밀링 장치 및 검사 시스템

이온 밀링 장치는, 시료에 이온 빔이 조사됨으로써 발생하는 스퍼터 입자의 양을 계측하는 제1 모니터링 기구와, 시료에 이온 빔이 조사됨으로써 형성되는 시료의 가공면을 촬상하는 제2 모니터링 기구를 구비하고, 단면 밀링 처리에 있어서, 제1 모니터링 기구에 의한 계측으로부터 추정되는 시료의 스퍼터량 및 제2 모니터링 기구에서 촬상된 화상으로부터 추출된 가공면상의 형상이, 스퍼터량 및 가공면 형상에 대해 설정된 가공 종료 조건을 만족시키는 경우에, 시료에 대한 가공을 종료한다. This ion milling device is provi...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: TAKASU HISAYUKI, KAMOSHIDA HITOSHI, KAMINO ATSUSHI, FUJITA NAOHIRO
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:이온 밀링 장치는, 시료에 이온 빔이 조사됨으로써 발생하는 스퍼터 입자의 양을 계측하는 제1 모니터링 기구와, 시료에 이온 빔이 조사됨으로써 형성되는 시료의 가공면을 촬상하는 제2 모니터링 기구를 구비하고, 단면 밀링 처리에 있어서, 제1 모니터링 기구에 의한 계측으로부터 추정되는 시료의 스퍼터량 및 제2 모니터링 기구에서 촬상된 화상으로부터 추출된 가공면상의 형상이, 스퍼터량 및 가공면 형상에 대해 설정된 가공 종료 조건을 만족시키는 경우에, 시료에 대한 가공을 종료한다. This ion milling device is provided with a first monitoring mechanism for measuring a quantity of sputtered particles generated by irradiating a specimen with an ion beam, and a second monitoring mechanism for capturing an image of a machined surface of the specimen formed by irradiating the specimen with the ion beam, wherein, in cross-sectional milling, if specimen sputter quantity estimated from a measurement performed by the first monitoring mechanism, and the shape of a machined surface image extracted from an image captured by the second monitoring mechanism satisfy a machining termination condition set in relation to the sputter quantity and the machined surface shape, machining of the specimen is terminated.