토로이드 모션 향상된 이온 소스

증가된 플라즈마 전위를 갖는 IHC 이온 소스가 개시된다. 특정 실시예들에서, 추출 플레이트는, 더 높은 플라즈마 전위를 달성하기 위해 아크 챔버의 몸체보다 더 높은 전압으로 바이어싱된다. 바이어싱된 추출 플레이트와 플라즈마 사이의 상호작용을 제거하기 위해 차폐 전극들이 활용될 수 있다. 아크 챔버의 단면은, 챔버에서의 전자들의 회전을 용이하게 하기 위해 원형 또는 거의 원형일 수 있다. 다른 실시예에서, 바이어싱된 전극들이 높이 방향으로 추출 애퍼쳐의 대향하는 측들 상에서 챔버 내에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전극들 중...

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Hauptverfasser: CHOI JIN YOUNG, KIM JUNE YOUNG, CHUNG KYOUNG-JAE, KOO BON-WOONG, HWANG YONG-SEOK
Format: Patent
Sprache:kor
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container_end_page
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container_start_page
container_title
container_volume
creator CHOI JIN YOUNG
KIM JUNE YOUNG
CHUNG KYOUNG-JAE
KOO BON-WOONG
HWANG YONG-SEOK
description 증가된 플라즈마 전위를 갖는 IHC 이온 소스가 개시된다. 특정 실시예들에서, 추출 플레이트는, 더 높은 플라즈마 전위를 달성하기 위해 아크 챔버의 몸체보다 더 높은 전압으로 바이어싱된다. 바이어싱된 추출 플레이트와 플라즈마 사이의 상호작용을 제거하기 위해 차폐 전극들이 활용될 수 있다. 아크 챔버의 단면은, 챔버에서의 전자들의 회전을 용이하게 하기 위해 원형 또는 거의 원형일 수 있다. 다른 실시예에서, 바이어싱된 전극들이 높이 방향으로 추출 애퍼쳐의 대향하는 측들 상에서 챔버 내에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전극들 중 하나만이 아크 챔버의 몸체보다 큰 전압으로 바이어싱된다. An IHC ion source having increased plasma potential is disclosed. In certain embodiments, the extraction plate is biased at a higher voltage than the body of the arc chamber to achieve the higher plasma potential. Shielding electrodes may be utilized to remove the interaction between the biased extraction plate and the plasma. The cross-section of the arc chamber may be circular or nearly circular to facilitate the rotation of electrons in the chamber. In another embodiment, biased electrodes may be disposed in the chamber on opposite sides of the extraction aperture in the height direction. In some embodiments, only one of the electrodes is biased at a voltage greater than the body of the arc chamber.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_KR20240116833A</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>KR20240116833A</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_KR20240116833A3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZNB-27bg9cI5b-ZueT15jsLrVSvetM5QeDtt6ZvmxtcT5igAxd_MWKHwpq3nTdcSHgbWtMSc4lReKM3NoOzmGuLsoZtakB-fWlyQmJyal1oS7x1kZGBkYmBoaGZhbOxoTJwqAEqSNfI</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>토로이드 모션 향상된 이온 소스</title><source>esp@cenet</source><creator>CHOI JIN YOUNG ; KIM JUNE YOUNG ; CHUNG KYOUNG-JAE ; KOO BON-WOONG ; HWANG YONG-SEOK</creator><creatorcontrib>CHOI JIN YOUNG ; KIM JUNE YOUNG ; CHUNG KYOUNG-JAE ; KOO BON-WOONG ; HWANG YONG-SEOK</creatorcontrib><description>증가된 플라즈마 전위를 갖는 IHC 이온 소스가 개시된다. 특정 실시예들에서, 추출 플레이트는, 더 높은 플라즈마 전위를 달성하기 위해 아크 챔버의 몸체보다 더 높은 전압으로 바이어싱된다. 바이어싱된 추출 플레이트와 플라즈마 사이의 상호작용을 제거하기 위해 차폐 전극들이 활용될 수 있다. 아크 챔버의 단면은, 챔버에서의 전자들의 회전을 용이하게 하기 위해 원형 또는 거의 원형일 수 있다. 다른 실시예에서, 바이어싱된 전극들이 높이 방향으로 추출 애퍼쳐의 대향하는 측들 상에서 챔버 내에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전극들 중 하나만이 아크 챔버의 몸체보다 큰 전압으로 바이어싱된다. An IHC ion source having increased plasma potential is disclosed. In certain embodiments, the extraction plate is biased at a higher voltage than the body of the arc chamber to achieve the higher plasma potential. Shielding electrodes may be utilized to remove the interaction between the biased extraction plate and the plasma. The cross-section of the arc chamber may be circular or nearly circular to facilitate the rotation of electrons in the chamber. In another embodiment, biased electrodes may be disposed in the chamber on opposite sides of the extraction aperture in the height direction. In some embodiments, only one of the electrodes is biased at a voltage greater than the body of the arc chamber.</description><language>kor</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20240730&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20240116833A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20240730&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20240116833A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>CHOI JIN YOUNG</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM JUNE YOUNG</creatorcontrib><creatorcontrib>CHUNG KYOUNG-JAE</creatorcontrib><creatorcontrib>KOO BON-WOONG</creatorcontrib><creatorcontrib>HWANG YONG-SEOK</creatorcontrib><title>토로이드 모션 향상된 이온 소스</title><description>증가된 플라즈마 전위를 갖는 IHC 이온 소스가 개시된다. 특정 실시예들에서, 추출 플레이트는, 더 높은 플라즈마 전위를 달성하기 위해 아크 챔버의 몸체보다 더 높은 전압으로 바이어싱된다. 바이어싱된 추출 플레이트와 플라즈마 사이의 상호작용을 제거하기 위해 차폐 전극들이 활용될 수 있다. 아크 챔버의 단면은, 챔버에서의 전자들의 회전을 용이하게 하기 위해 원형 또는 거의 원형일 수 있다. 다른 실시예에서, 바이어싱된 전극들이 높이 방향으로 추출 애퍼쳐의 대향하는 측들 상에서 챔버 내에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전극들 중 하나만이 아크 챔버의 몸체보다 큰 전압으로 바이어싱된다. An IHC ion source having increased plasma potential is disclosed. In certain embodiments, the extraction plate is biased at a higher voltage than the body of the arc chamber to achieve the higher plasma potential. Shielding electrodes may be utilized to remove the interaction between the biased extraction plate and the plasma. The cross-section of the arc chamber may be circular or nearly circular to facilitate the rotation of electrons in the chamber. In another embodiment, biased electrodes may be disposed in the chamber on opposite sides of the extraction aperture in the height direction. In some embodiments, only one of the electrodes is biased at a voltage greater than the body of the arc chamber.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZNB-27bg9cI5b-ZueT15jsLrVSvetM5QeDtt6ZvmxtcT5igAxd_MWKHwpq3nTdcSHgbWtMSc4lReKM3NoOzmGuLsoZtakB-fWlyQmJyal1oS7x1kZGBkYmBoaGZhbOxoTJwqAEqSNfI</recordid><startdate>20240730</startdate><enddate>20240730</enddate><creator>CHOI JIN YOUNG</creator><creator>KIM JUNE YOUNG</creator><creator>CHUNG KYOUNG-JAE</creator><creator>KOO BON-WOONG</creator><creator>HWANG YONG-SEOK</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240730</creationdate><title>토로이드 모션 향상된 이온 소스</title><author>CHOI JIN YOUNG ; KIM JUNE YOUNG ; CHUNG KYOUNG-JAE ; KOO BON-WOONG ; HWANG YONG-SEOK</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20240116833A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>kor</language><creationdate>2024</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>CHOI JIN YOUNG</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM JUNE YOUNG</creatorcontrib><creatorcontrib>CHUNG KYOUNG-JAE</creatorcontrib><creatorcontrib>KOO BON-WOONG</creatorcontrib><creatorcontrib>HWANG YONG-SEOK</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>CHOI JIN YOUNG</au><au>KIM JUNE YOUNG</au><au>CHUNG KYOUNG-JAE</au><au>KOO BON-WOONG</au><au>HWANG YONG-SEOK</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>토로이드 모션 향상된 이온 소스</title><date>2024-07-30</date><risdate>2024</risdate><abstract>증가된 플라즈마 전위를 갖는 IHC 이온 소스가 개시된다. 특정 실시예들에서, 추출 플레이트는, 더 높은 플라즈마 전위를 달성하기 위해 아크 챔버의 몸체보다 더 높은 전압으로 바이어싱된다. 바이어싱된 추출 플레이트와 플라즈마 사이의 상호작용을 제거하기 위해 차폐 전극들이 활용될 수 있다. 아크 챔버의 단면은, 챔버에서의 전자들의 회전을 용이하게 하기 위해 원형 또는 거의 원형일 수 있다. 다른 실시예에서, 바이어싱된 전극들이 높이 방향으로 추출 애퍼쳐의 대향하는 측들 상에서 챔버 내에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전극들 중 하나만이 아크 챔버의 몸체보다 큰 전압으로 바이어싱된다. An IHC ion source having increased plasma potential is disclosed. In certain embodiments, the extraction plate is biased at a higher voltage than the body of the arc chamber to achieve the higher plasma potential. Shielding electrodes may be utilized to remove the interaction between the biased extraction plate and the plasma. The cross-section of the arc chamber may be circular or nearly circular to facilitate the rotation of electrons in the chamber. In another embodiment, biased electrodes may be disposed in the chamber on opposite sides of the extraction aperture in the height direction. In some embodiments, only one of the electrodes is biased at a voltage greater than the body of the arc chamber.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language kor
recordid cdi_epo_espacenet_KR20240116833A
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CHEMICAL SURFACE TREATMENT
CHEMISTRY
COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL
COATING METALLIC MATERIAL
DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL
ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
ELECTRICITY
INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL
METALLURGY
SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
title 토로이드 모션 향상된 이온 소스
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-02T22%3A58%3A54IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=CHOI%20JIN%20YOUNG&rft.date=2024-07-30&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EKR20240116833A%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true