Image sensor and electronic device including the image sensor

개시된 이미지 센서는 복수의 광 감지셀을 포함하는 센서 기판; 상기 센서 기판 상부에 배치된 투명한 스페이서층; 및 상기 스페이서층 상부에 배치되고 입사광의 위상을 입사 위치에 따라 다르며 변화시키는 복수의 나노포스트를 구비하며, 상기 복수의 나노포스트는 복수층으로 나뉘어 배열된 색분리 렌즈 어레이;를 포함하며, 상기 복수의 나노포스트 중, wc보다 작은 폭을 가지는 나노포스트들은 상기 복수층 중 어느 한 층에만 배치될 수 있다. wc는 80㎚ 이상이고 200㎚ 이하일 수 있다. 이에 따라, 색분리 렌즈 어레이에 구비되는 나노포스트의 최소 폭이 커질 수 있어 공정에 유리하다. Disclosed is an image sensor (1100) including a sensor substrate (110) including a plurality of light sensing cells (111, 112); a transparent spacer layer (120) provided over the sensor substrate; and a color separation lens array (130) provided over the spacer layer and including a plurality of nano-posts (NP1, NP2) configured to change a phase of incident light according to an incident location, wherein the plurality of nano-posts are arranged in a plurality of layers (LE1, LE2), wherein, from among the plurality of nano-posts, nano-posts having widths less than wc may be arranged only in any one layer of the plurality of layers. Also, wc may be greater than or equal to 80 nm and less than or equal to 200 nm. Therefore, the minimum width of the nano-posts provided in the color separation lens array may be increased, which is advantageous for a manufacturing process.