유기금속 포토레지스트의 산 수용액 현상 또는 처리

본 개시내용은 방사선 감응 막을 현상 또는 처리하기 위한 산 수용액의 용도에 관한 것이다. 산 수용액은 포지티브 톤 습식 현상 공정에 의해 패턴을 형성하거나, 잔류 레지스트 구성요소를 추가로 제거함으로써 현상된 패턴을 처리하기 위해 사용될 수 있다. The present disclosure relates to use of aqueous acid for developing or treating a radiation-sensitive film. The aqueous acid can be employed to form a pattern...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	GU KEVIN LI, WEIDMAN TIMOTHY WILLIAM, KENANE NIZAN, HANSEN ERIC CALVIN, WU CHENGHAO, KAM BENJAMIN
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 개시내용은 방사선 감응 막을 현상 또는 처리하기 위한 산 수용액의 용도에 관한 것이다. 산 수용액은 포지티브 톤 습식 현상 공정에 의해 패턴을 형성하거나, 잔류 레지스트 구성요소를 추가로 제거함으로써 현상된 패턴을 처리하기 위해 사용될 수 있다. The present disclosure relates to use of aqueous acid for developing or treating a radiation-sensitive film. The aqueous acid can be employed to form a pattern by a positive tone wet development process or to treat a developed pattern by further removing residual resist components.