NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND RECOVERY METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

일 실시예에 따른 비휘발성 메모리 장치는, 복수의 스트링 선택 트랜지스터와 복수의 메모리 셀을 포함하는 복수의 셀 스트링, 복수의 셀 스트링 중 제1 셀 스트링의 스트링 선택 트랜지스터에 연결되는 제1 스트링 선택 라인, 및 복수의 셀 스트링 중 제2 셀 스트링의 스트링 선택 트랜지스터에 연결되는 제2 스트링 선택 라인을 포함하는 메모리 블록, 그리고 제1 스트링 선택 라인 및 제2 스트링 선택 라인에 서로 상이한 구동 능력으로 리커버리 전압을 인가하도록 리커버리 동작을 제어하는 제어 회로를 포함한다....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	LEE YOHAN, CHO JIHO, KIM HOJOON, YU JAE-DUK
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	INFORMATION STORAGE PHYSICS STATIC STORES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	일 실시예에 따른 비휘발성 메모리 장치는, 복수의 스트링 선택 트랜지스터와 복수의 메모리 셀을 포함하는 복수의 셀 스트링, 복수의 셀 스트링 중 제1 셀 스트링의 스트링 선택 트랜지스터에 연결되는 제1 스트링 선택 라인, 및 복수의 셀 스트링 중 제2 셀 스트링의 스트링 선택 트랜지스터에 연결되는 제2 스트링 선택 라인을 포함하는 메모리 블록, 그리고 제1 스트링 선택 라인 및 제2 스트링 선택 라인에 서로 상이한 구동 능력으로 리커버리 전압을 인가하도록 리커버리 동작을 제어하는 제어 회로를 포함한다.