IMAGE SENSOR

본 발명의 기술적 사상에 따른 이미지 센서는, 복수의 단위 픽셀을 포함하는 공유 픽셀을 복수로 가지는 기판, 복수의 공유 픽셀을 구획하는 깊은 트렌치 분리 구조체, 및 복수의 공유 픽셀 사이에 배치되고 깊은 트렌치 분리 구조체와 수직 방향으로 오버랩되는 컨택 장벽 구조체를 포함하고, 복수의 공유 픽셀 중에서 제1 수평 방향을 따라 이웃하게 배열되는 제1 및 제2 공유 픽셀 각각은 서로 다른 위치에 배치되는 복수의 플로팅 확산 영역 및 복수의 플로팅 확산 영역과 전기적으로 연결되며, 서로 다른 위치에 배치되는 복수의 소스 팔로워 게이트를 포함하고, 컨택 장벽 구조체는 제1 공유 픽셀의 소스 팔로워 게이트와 제2 공유 픽셀의 소스 팔로워 게이트가 서로 마주보는 사이에 제1 수평 방향과 수직한 제2 수평 방향으로 장축을 가지며 배치된다. An image sensor includes a substrate and first and second shared pixels, which extend adjacent to each other in a first direction across the substrate. Each of the shared pixels includes: a plurality of floating diffusion regions at spaced apart locations within the substrate, and a plurality of spaced-apart source follower gates electrically connected to the plurality of floating diffusion regions. A deep trench isolation structure is provided, which extends within the substrate and at least partially partitions the first and second shared pixels from each other. A contact barrier structure is provided, which extends on the substrate, vertically overlaps the deep trench isolation structure, at least partially partitions the first and second shared pixels from each other, and is arranged with a long axis in a second direction orthogonal to the first direction and between the source follower gate of the first shared pixel and the source follower gate of the second shared pixel.