vertical non-volatile memory device

본 발명의 수직형 비휘발성 메모리 소자는 수직 방향으로 서로 오버랩되도록 적층된 복수의 게이트 라인, 및 상기 수직 방향으로 상기 복수의 게이트 라인을 절연하는 절연층을 포함하는 메모리 셀 영역; 상기 메모리 셀 영역의 일측에 배치되고, 상기 복수의 게이트 라인에 각각 일체로 연결된 돌출형 패드를 가지는 계단형 연결부를 포함하는 연장 영역; 상기 메모리 셀 영역 및 상기 연장 영역의 하부에 배치되고, 주변 회로 배선층을 포함하는 주변 회로 구조물; 상기 연장 영역에 형성되고 상기 복수의 게이트 라인, 상기 절연층, 및 상기 계단형 연결부를 관통하는 관통형 셀 콘택 패턴; 및 상기 연장 영역에 상기 관통형 셀 콘택 패턴과 떨어져서 배치되고, 상기 관통형 셀 콘택 패턴을 모니터링할 수 있는 관통형 셀 콘택 모니터링 패턴을 포함한다. A vertical non-volatile memory device, including a memory cell region including a plurality of gate lines overlapping each other in a vertical direction, and an insulating layer insulating the plurality of gate lines from each other in the vertical direction, an extension region on one side of the memory cell region, the extension region including a plurality of stepped connection portions having a plurality of raised pads integrally connected to each of the plurality of gate lines, a peripheral circuit structure in a lower portion of the memory cell region and the extension region, the peripheral circuit structure including a peripheral circuit wiring layer, a through type cell contact pattern in the extension region penetrating the plurality of gate lines, the insulating layer, and the plurality of stepped connection portions, and a through type cell contact monitoring pattern in the extension region spaced from the through type cell contact pattern.