반도체 구조를 에칭하기 위한 산소 및 요오드-함유 히드로플루오로카본 화합물

방법은 기판 상에 증착된 규소-함유 필름 및 규소-함유 층 상에 증착된 패턴화된 마스크 층을 갖는 기판을 수용하는 반응 챔버 내로 화학식 CnHxFyIzOe (여기서, 0 ≤ n ≤ 10, 0 ≤ x ≤ 21, 0 ≤ y ≤ 21, 1 ≤ z ≤ 4 및 1 ≤ e ≤ 2임)를 갖는 산소 및 요오드-함유 에칭 화합물의 증기를 도입하는 단계; 플라즈마를 활성화시켜 활성화된 산소 및 요오드-함유 에칭 화합물을 생성하는 단계; 및 활성화된 산소 및 요오드-함유 에칭 화합물과 규소-함유 필름 사이에서 에칭 반응을 진행시켜 패턴화된 마스크 층...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	MARCHEGIANI FABRIZIO
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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