반도체 구조를 에칭하기 위한 산소 및 요오드-함유 히드로플루오로카본 화합물

방법은 기판 상에 증착된 규소-함유 필름 및 규소-함유 층 상에 증착된 패턴화된 마스크 층을 갖는 기판을 수용하는 반응 챔버 내로 화학식 CnHxFyIzOe (여기서, 0 ≤ n ≤ 10, 0 ≤ x ≤ 21, 0 ≤ y ≤ 21, 1 ≤ z ≤ 4 및 1 ≤ e ≤ 2임)를 갖는 산소 및 요오드-함유 에칭 화합물의 증기를 도입하는 단계; 플라즈마를 활성화시켜 활성화된 산소 및 요오드-함유 에칭 화합물을 생성하는 단계; 및 활성화된 산소 및 요오드-함유 에칭 화합물과 규소-함유 필름 사이에서 에칭 반응을 진행시켜 패턴화된 마스크 층으로부터 규소-함유 필름을 선택적으로 에칭하여, 패턴화된 구조를 형성하는 단계를 포함한다. A method comprises: introducing a vapor of an oxygen and iodine-containing etching compound into a chamber that contains a substrate having a silicon-containing film deposited thereon and a patterned mask layer deposited on the silicon-containing layer, wherein the oxygen and iodine-containing etching compound has the formula CnHxFyIzOe, wherein 0≤n≤10, 0≤x≤21, 0≤y≤21, 1≤z≤4 and 1≤e≤2; activating a plasma to produce an activated oxygen and iodine-containing etching compound; and allowing an etching reaction to proceed between the activated oxygen and iodine-containing etching compound and the silicon-containing film to selectively etch the silicon-containing film from the patterned mask layer, thereby forming a patterned structure.