가스 처리 방법 및 가스 처리 장치

오목부를 갖는 기판에 가스 처리를 실시하는 가스 처리 방법은, 챔버 내에 오목부를 갖는 기판을 배치하는 것과, 진공화된 챔버 내에 압력 조정용 가스를 공급하여 챔버 내의 압력을 상승시켜, 미리 정해진 압력으로 조절하는 것과, 이어서, 챔버 내에서 처리 가스에 의한 처리 반응을 생기게 하여 기판의 오목부 측벽에 대해서 가스 처리를 행하는 것을 갖고, 압력 조절을 실시할 때의 압력 조정 가스의 적어도 일부로서, 처리 반응을 생기게 하는 처리 가스를 사용한다. A gas treatment method of performing a gas...

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Hauptverfasser: SEOK CHANGHWAN, SATO AKIHIRO, KOBAYASHI JUN, DEMICHI KIMIHIKO, TAKAHASHI TETSURO
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:오목부를 갖는 기판에 가스 처리를 실시하는 가스 처리 방법은, 챔버 내에 오목부를 갖는 기판을 배치하는 것과, 진공화된 챔버 내에 압력 조정용 가스를 공급하여 챔버 내의 압력을 상승시켜, 미리 정해진 압력으로 조절하는 것과, 이어서, 챔버 내에서 처리 가스에 의한 처리 반응을 생기게 하여 기판의 오목부 측벽에 대해서 가스 처리를 행하는 것을 갖고, 압력 조절을 실시할 때의 압력 조정 가스의 적어도 일부로서, 처리 반응을 생기게 하는 처리 가스를 사용한다. A gas treatment method of performing a gas treatment on a substrate having a recess includes: disposing the substrate having the recess in a chamber; adjusting a pressure inside the chamber to a predetermined pressure by supplying a pressure adjustment gas into the chamber in an evacuated state to increase the pressure inside the chamber; and subsequently, performing the gas treatment on a side wall of the recess of the substrate by causing a treatment reaction by a process gas in the chamber, wherein the process gas causing the treatment reaction is used as at least a part of the pressure adjustment gas in the adjusting the pressure.