DEVICE WITH ISOLATION STRUCTURES IN ACTIVE REGIONS

본 개시는 반도체 구조체들에 관한 것이고, 더 상세하게는, 활성 영역들에 격리 구조체들을 갖는 디바이스들과 제조 방법들에 관한 것이다. 이 구조체는, 활성 영역; 활성 영역 내의 복수의 격리 구조체들; 활성 영역 내의 복수의 격리 구조체들과 중첩하는 복수의 게이트 구조체들; 및 복수의 게이트 구조체들 및 복수의 격리 구조체들의 측면들 상의 확산 영역들을 포함한다. The present disclosure relates to semiconductor structures and, more particularly, to devices with isolation structures in active regions and methods of manufacture. The structure includes: an active region; a plurality of isolation structures (14) within the active region; a plurality of gate structures (16) overlapping the plurality of isolation structures within the active region; and diffusion regions on sides of the plurality of gate structures and the plurality of isolation structures.