SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치는 제1 전극층; 상기 제1 전극층 상에, 상기 제1 전극층과 이격하여 배치되는 제2 전극층; 및 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층 사이에 개재되며, 도펀트가 도핑된 절연 물질 및 탄소를 포함하는 선택 소자층을 포함하며, 상기 선택 소자층 내에서, 상기 제2 전극층과 인접한 부분의 상기 탄소의 농도가 상기 제1 전극층과 인접한 부분의 상기 탄소의 농도보다 높을 수 있다. Semiconductor devices and methods for fabricating semiconductor devices are disclosed. In some implementations, a semiconductor device may include a first electrode layer; a second electrode layer disposed over the first electrode layer and spaced apart from the first electrode layer; and a selector layer disposed between the first electrode layer and the second electrode layer and including an insulating material that contains at least a dopant and carbon, wherein a carbon concentration at a first portion of the selector layer adjacent to the second electrode layer is higher than a carbon concentration at a second portion of the selector layer adjacent to the first electrode layer.