METHOD FOR FABRICATING ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

METHOD FOR FABRICATING ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

본 발명의 일 실시예에 따른 전극의 제조 방법은 탄소층을 형성하는 단계; 이온 빔 에칭 공정을 수행하여 탄소층의 표면을 평탄화 및 경화시키는 단계; 및 불순물 도핑 공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. A method for fabricating an electrode may include: forming a carbon layer; performing an ion beam etch process to planarize and harden a surface of the carbon layer on the carbon layer;...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: DONG CHA DEOK, KIM JEONG MYEONG, CHOI KEO ROCK
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
Schlagworte:
ELECTRICITY
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명의 일 실시예에 따른 전극의 제조 방법은 탄소층을 형성하는 단계; 이온 빔 에칭 공정을 수행하여 탄소층의 표면을 평탄화 및 경화시키는 단계; 및 불순물 도핑 공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. A method for fabricating an electrode may include: forming a carbon layer; performing an ion beam etch process to planarize and harden a surface of the carbon layer on the carbon layer; and performing an impurity doping process to dope an impurity into the carbon layer.