Plasma processing apparatus and method for fabricating semiconductor device using the same

반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치의 제조 방법은 샤워 헤드에 의해 하부 영역 및 하부 영역 상에 형성된 상부 영역으로 분리되는 챔버에서, 하부 영역의 내부에 기판을 로딩시키고, 상부 영역에 소스 가스를 공급하고, 상부 영역 상에 배치된 안테나로부터 발생된 자기장 및 전기장, 및 소스 가스를 이용하여 상부 영역에서 이온 및 라디칼을 포함하는 플라즈마를 생성하고, 샤워 헤드를 수직 방향으로 관통하도록 형성된 복수의 플라즈마 유입 홀을 통해, 상부 영역에서 생성된 이온 및 라디칼 각각을 하부 영역에 유입시키고, 샤워 헤드...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	KIM YI HWAN, LEE JUN HO, CHO NAM JIN, HAN SANG CHUL, LEE HYUN JAE, NAM SANG KI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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