Plasma processing apparatus and method for fabricating semiconductor device using the same

반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치의 제조 방법은 샤워 헤드에 의해 하부 영역 및 하부 영역 상에 형성된 상부 영역으로 분리되는 챔버에서, 하부 영역의 내부에 기판을 로딩시키고, 상부 영역에 소스 가스를 공급하고, 상부 영역 상에 배치된 안테나로부터 발생된 자기장 및 전기장, 및 소스 가스를 이용하여 상부 영역에서 이온 및 라디칼을 포함하는 플라즈마를 생성하고, 샤워 헤드를 수직 방향으로 관통하도록 형성된 복수의 플라즈마 유입 홀을 통해, 상부 영역에서 생성된 이온 및 라디칼 각각을 하부 영역에 유입시키고, 샤워 헤드에 형성된 복수의 공정 가스 공급 홀을 통해, 하부 영역에 공정 가스가 유입되고, 및 하부 영역의 내부에서 이온, 라디칼 및 공정 가스를 이용하여 기판 상에 증착막을 형성하는 것을 포함한다. A method for fabricating a semiconductor device includes loading a substrate into a lower region in a chamber separated by a shower head into the lower region and an upper region, supplying a source gas to the upper region, generating plasma including ions and radicals in the upper region, using a magnetic field and an electric field generated from an antenna on the upper region, and the source gas, supplying the ions and the radicals generated in the upper region into the lower region through a plurality of plasma inlet holes formed to penetrate the shower head in a vertical direction, supplying a process gas into the lower region through a plurality of process gas supply holes formed in the shower head, and forming a deposition film on the substrate inside the lower region, using the ions, the radicals and the process gas.