SEMICONDUCTOR DEDVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

본 기술은 고집적화된 메모리 셀들을 구비한 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 기술에 따른 반도체 장치는 수직 도전 라인; 상기 수직 도전 라인으로부터 수평하게 배향하되, 제1 수평부 및 상기 제1 수평부보다 얇은 제2 수평부를 포함하는 수평층; 상기 수평층의 제1 수평부를 횡단하는 수평 도전 라인; 및 상기 수평층의 제2 수평부에 접속된 머지드 더블 실린더를 포함하는 제1 전극을 포함하는 데이터 저장 요소를 포함할 수 있다. A semiconductor device including highly integrated memory cells and a method for fabricating the same. The semiconductor device may include: a vertical conductive line; a horizontal layer horizontally oriented from the vertical conductive line and including a first horizontal portion and a second horizontal portion thinner than the first horizontal portion; a horizontal conductive line crossing the first horizontal portion of the horizontal layer; and a data storage element including a first electrode including a merged double cylinder coupled to the second horizontal portion of the horizontal layer.