3 Method for forming patterns and Method for manufacturing three dimensional semiconductor device for using the same

본 발명에 따른 패턴 형성 방법은 기판(100) 상에 제1 방향(D1)으로 서로 이격되고 제2 방향(D2)으로 연장되는 제1 리세스들(RE1)을 형성하는 것, 상기 제1 및 제2 방향들(D1, D2)은 상기 기판의 상면(100a)에 평행하고 서로 교차하는 것; 상기 제1 리세스들(RE1) 내에 제1 기준 패턴들(101)을 형성하는 것; 상기 기판(100)의 전면 상에 상기 제1 기준 패턴들(101)을 노출하는 제1 오프닝(OP1)을 갖는 제1 마스크패턴(MP1)을 형성하는 것; 상기 제1 오프닝(OP1) 내에 제1 중합체(11) 및 제2 중합체(12)를 포함하는 블록(block)형 공중합체(10)을 형성하는 것; 및 정렬 공정을 통해 상기 블록형 공중합체(10)를 상기 제1 중합체(11) 및 상기 제2 중합체(12)로 분리하여 정렬시키는 것을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 중합체들(11, 12)은 상기 제1 방향(D1)을 따라 교대로 정렬되고, 상기 제1 중합체(11)는 상기 제1 기준 패턴들(101) 상에 정렬될 수 있다.