NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF

비휘발성 메모리 장치의 동작 방법이 개시된다. 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법은, 독출 커맨드를 수신하는 단계; 독출 커맨드에 응답하여, 워드 라인 셋업 구간 동안, 복수의 비선택된 접지 선택 라인들에 인가되는 전압을 오프 전압에서 온 전압으로 증가시키는 단계; 워드 라인 셋업 구간 중 제1 시점까지, 복수의 선택된 접지 선택 라인들 중 제1 공정 특성에 대응하는 제1 선택된 접지 선택 라인에 제1 전압을 인가하는 단계; 워드 라인 셋업 구간 중 제1 시점 이후, 제1 선택된 접지 선택 라인에 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가하는 단계; 워드 라인 셋업 구간 중 제1 시점보다 이른 제2 시점까지, 복수의 선택된 접지 선택 라인들 중 제2 공정 특성에 대응하는 제2 선택된 접지 선택 라인에 제1 전압을 인가하는 단계; 및 워드 라인 셋업 구간 중 제2 시점 이후, 제2 선택된 접지 선택 라인에 제2 전압을 인가하는 단계를 포함한다. Provided is an operating method of a nonvolatile memory device. The operating method includes receiving a read command, increasing a voltage applied to a plurality of unselected ground selection lines from an off voltage to an on voltage during a word line setup period, applying a first voltage to a first selected ground selection line corresponding to a first process characteristic, until a first time in the word line setup period, applying a second voltage to the first selected ground selection line after the first time in the word line setup period, applying the first voltage to a second selected ground selection line corresponding to a second process characteristic, until a second time earlier than the first time in the word line setup period, and applying the second voltage to the second selected ground selection line after the second time in the word line setup period.