MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF

메모리 셀 어레이를 포함하는 메모리 장치의 동작방법이 개시된다. 본 개시의 예시적 실시예에 따른 메모리 셀 어레이를 포함하는 메모리 장치의 동작방법은, 상기 메모리 셀 어레이는 복수의 메모리 셀들 및 상기 복수의 메모리 셀들과 연결되는 복수의 워드라인들을 포함하고, 메모리 셀의 센싱 특성을 개선하기 위한 부가 리드(Additional Read) 동작의 대상이 되는 메모리 셀들과 연결되는 선택된 워드라인(JPEGpat00319.jpg69) 및 복수의 비선택된 워드라인들(JPEGpat00320.jpg619)에 인가되는 각각의 전압들을 조절하여 상기 메모리 셀에 대하여 부가 리드 동작을 수행하는 단계 및 상기 복수의 비선택된 워드라인들(JPEGpat00321.jpg619) 중 적어도 하나의 비선택된 제1 워드라인에 인가되는 전압의 레벨이 상기 부가 리드 동작 중 상기 제1 워드라인에 인가되는 전압의 레벨과 상이하도록 상기 메모리 셀에 대하여 메인 리드 동작을 수행하는 단계를 포함한다. Disclosed is a method of operating a memory device including a memory cell array. The memory cell array includes a plurality of memory cells and a plurality of word lines connected to the plurality of memory cells. The method includes performing an additional read operation on the plurality of memory cells by adjusting a voltage level applied to a selected word line WLN connected to memory cells to be additionally read for improvements in memory cell sensing characteristics and a voltage level applied to a plurality of unselected word lines WLUnselect, and performing a main read operation on the plurality of memory cells by adjusting a voltage level applied to at least one first word line among the plurality of unselected word lines WLUnselect to be different from a voltage level applied to the at least one first word line in the additional read operation.