MEMORY DEVICE PRECHARGING COMMON SOURCE LINE AND OPERATING METHOD OF THE SAME

본 개시의 기술적 사상에 따른 메모리 장치의 동작 방법은, 워드라인 셋업 구간 동안 복수의 워드라인들에 패스 전압을 인가하는 단계, 워드라인 셋업 구간 중 제1 시점에, 비선택된 그라운드 선택 라인에 온-전압을 인가하는 단계, 워드라인 셋업 구간 중 제2 시점에, 공통 소스 라인에 프리차지 전압을 인가함으로써 복수의 워드라인들의 전압을 상승시키는 단계, 워드라인 셋업 구간 중 제3 시점에, 비선택된 그라운드 선택 라인에 오프-전압을 인가하는 단계 및 워드라인 셋업 구간 중 제4 시점에, 공통 소스 라인에 접지 전압을 인가하는 단계를 포함한다. A method of operating a memory device, the method includes applying a pass voltage to a plurality of word lines during a word line setup period, applying an on-voltage to an unselected ground select line at a first time point during the word line setup period, increasing a voltage of the plurality of word lines by applying a pre-charge voltage to the common source line at a second time point during the word line setup period, applying an off-voltage to the unselected ground select line at a third time point during the word line setup period, and applying a ground voltage to the common source line at a fourth time point during the word line setup period.