APPARATUS FOR TREATING A SUBSTRATE

본 발명은, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과 상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스와 상기 지지 유닛과 대향되게 제공되는 샤워 헤드 어셈블리를 포함하되, 상기 샤워 헤드 어셈블리는, 수의 제1홀들이 형성된 샤워 헤드와 상기 샤워 헤드의 상부에 위치되며, 상기 제1홀들과 정렬된 제2홀들이 형성된 가스 분배판과 상기 가스 분배판의 상부에 위치되며, 히터가 제공된 가열판을 구비하되, 상기 가스 분배판은, 상면 중 상기 제2홀들이 형성된 중앙 영역과 그 외측인 가장자리 영역 중 가장자리 영역에만 제1산화막이 제공되며, 상기 가열판은, 하면 중 상기 가스 분배판의 가장자리 영역에 대향되는 제1 영역과 상기 가스 분배판의 중앙 영역과 대향되는 제2 영역 중 상기 제1 영역에만 제2산화막이 제공되는 것을 특징으로 한다. 상기와 같은 본 발명에 따르면, 플라즈마 처리 공정에서 샤워 헤드 어셈블리의 열 전달 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.