PSEUDO-DIFFERENTIAL HIGH-SPEED SENSING SCHEME FOR NON-VOLATILE MEMORY

비휘발성 메모리 셀, 비휘발성 메모리 셀이 접속된 비트라인 상의 데이터를 감지 증폭하여 감지 증폭된 데이터를 출력하기 위한 데이터 감지 회로를 포함하며, 데이터 감지 회로는, 의사-차동 감지 증폭기 및 복수의 격리 스위치를 포함하고, 전압-전개 단계에서, 복수의 격리 스위치는 상기 감지 증폭기가 상기 비휘발성 메모리 셀로부터 격리되도록 턴-온(turn-on) 되는 것인 반도체 장치가 개시된다....

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Hauptverfasser: KONG BAI SUN, SHIN MYEONG SU
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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creator KONG BAI SUN
SHIN MYEONG SU
description 비휘발성 메모리 셀, 비휘발성 메모리 셀이 접속된 비트라인 상의 데이터를 감지 증폭하여 감지 증폭된 데이터를 출력하기 위한 데이터 감지 회로를 포함하며, 데이터 감지 회로는, 의사-차동 감지 증폭기 및 복수의 격리 스위치를 포함하고, 전압-전개 단계에서, 복수의 격리 스위치는 상기 감지 증폭기가 상기 비휘발성 메모리 셀로부터 격리되도록 턴-온(turn-on) 되는 것인 반도체 장치가 개시된다.
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