PSEUDO-DIFFERENTIAL HIGH-SPEED SENSING SCHEME FOR NON-VOLATILE MEMORY

PSEUDO-DIFFERENTIAL HIGH-SPEED SENSING SCHEME FOR NON-VOLATILE MEMORY

비휘발성 메모리 셀, 비휘발성 메모리 셀이 접속된 비트라인 상의 데이터를 감지 증폭하여 감지 증폭된 데이터를 출력하기 위한 데이터 감지 회로를 포함하며, 데이터 감지 회로는, 의사-차동 감지 증폭기 및 복수의 격리 스위치를 포함하고, 전압-전개 단계에서, 복수의 격리 스위치는 상기 감지 증폭기가 상기 비휘발성 메모리 셀로부터 격리되도록 턴-온(turn-on) 되는 것인 반도체 장치가 개시된다....

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Hauptverfasser: KONG BAI SUN, SHIN MYEONG SU
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
Schlagworte:
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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Beschreibung
Zusammenfassung:비휘발성 메모리 셀, 비휘발성 메모리 셀이 접속된 비트라인 상의 데이터를 감지 증폭하여 감지 증폭된 데이터를 출력하기 위한 데이터 감지 회로를 포함하며, 데이터 감지 회로는, 의사-차동 감지 증폭기 및 복수의 격리 스위치를 포함하고, 전압-전개 단계에서, 복수의 격리 스위치는 상기 감지 증폭기가 상기 비휘발성 메모리 셀로부터 격리되도록 턴-온(turn-on) 되는 것인 반도체 장치가 개시된다.