Graphene manufacturing method and graphene manufacturing apparatus using the same

Graphene manufacturing method and graphene manufacturing apparatus using the same

그래핀 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 측면에 따른 그래핀 제조방법은, 기판 상에 티타늄층을 형성하는 티타늄층 형성단계, 티타늄층에, 산소 플라즈마, 수소 플라즈마 및 질소 플라즈마로 표면 개질하는 표면 처리단계 및 티타늄층 상에 그래핀층을 형성하는 그래핀층 형성단계를 포함하고, 그래핀층 형성단계에서 표면 처리된 티타늄층은 상기 그래핀층과 결합되어, Ti-C-O-N 구조를 형성한다....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	LEE YE JIN, LEE YOUNG JIN, BAEK SEUNG HO, SONG CHUL KYU, KWON HYE WON, YOON DONG HO
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOIDCHEMISTRY CHEMISTRY COMPOUNDS THEREOF INORGANIC CHEMISTRY METALLURGY NON-METALLIC ELEMENTS PERFORMING OPERATIONS PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL THEIR RELEVANT APPARATUS TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	그래핀 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 측면에 따른 그래핀 제조방법은, 기판 상에 티타늄층을 형성하는 티타늄층 형성단계, 티타늄층에, 산소 플라즈마, 수소 플라즈마 및 질소 플라즈마로 표면 개질하는 표면 처리단계 및 티타늄층 상에 그래핀층을 형성하는 그래핀층 형성단계를 포함하고, 그래핀층 형성단계에서 표면 처리된 티타늄층은 상기 그래핀층과 결합되어, Ti-C-O-N 구조를 형성한다.