반도체 프로세싱 작업에서의 개선된 에지 균일성을 위한 에지 링

유동 컨덕턴스 피처를 갖는 개선된 에지 링이 개시된다. 에지 링의 유동 컨덕턴스 피처는 에지 링의 국부적 에어리어에서 유동하는 가스의 유동 컨덕턴스를 조정하는 에지 링에 추가되는 피처이다. 유동 컨덕턴스 피처는 국부적 에어리어에서 가스의 유동에 영향을 미칠 수 있는 반도체 웨이퍼, 에지 링, 및 챔버 내의 피처를 보상하기 위해 유동 컨덕턴스를 조정할 수 있다. 유동 컨덕턴스는 바람직한 효과에 따라 증가, 감소 또는 조절될 수 있다. Improved edge rings with flow conductance features are disclosed. The flow conductance features of the edge ring are features added to the edge ring that adjust the flow conductance of gas flowing in the local area of the edge ring. The flow conductance features can adjust the flow conductance to compensate for features on a semiconductor wafer, the edge ring, and in the chamber that may affect the flow of gas in the local areas. The flow conductance may be increased, reduced, or tuned depending on the desired effect.