APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 내부 공간을 가지는 하우징, 상기 내부 공간 내에 위치하며, 처리 공간을 가지는 처리 용기, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛, 상기 처리 공간에서 발생되는 흄을 배기하는 배기 유닛, 상기 하우징의 상부면에 결합되고, 상기 내부 공간에 하향 기류를 형성하는 기체를 공급하는 기류 공급 유닛 그리고, 상기 기류 공급 유닛으로부터 아래 방향으로 이격되고, 상기 처리 용기보다 위에 배치...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: CHA JE MYUNG, JANG EUN WOO, PARK IN HWANG, PARK SHI HYUN, KIM KYUNG MIN, NA SEUNG EUN
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 내부 공간을 가지는 하우징, 상기 내부 공간 내에 위치하며, 처리 공간을 가지는 처리 용기, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛, 상기 처리 공간에서 발생되는 흄을 배기하는 배기 유닛, 상기 하우징의 상부면에 결합되고, 상기 내부 공간에 하향 기류를 형성하는 기체를 공급하는 기류 공급 유닛 그리고, 상기 기류 공급 유닛으로부터 아래 방향으로 이격되고, 상기 처리 용기보다 위에 배치되고, 상기 내부 공간으로 상기 기체를 토출하는 타공판을 포함하되, 상기 타공판은, 바닥면과 측면을 포함하고, 상기 측면은 제1면을 포함하고, 상기 제1면은 위로 향할수록 상기 하우징의 측벽들 중 상기 제1면과 인접한 제1측벽을 향하는 방향으로 상향 경사지며, 상기 기체가 토출되는 제1홀이 형성될 수 있다. The inventive concept provides a substrate treating apparatus. The substrate treating apparatus includes a housing having an inner space therein; a treating container disposed within the inner space and having a treating space; a substrate support unit supporting a substrate in the treating space; a liquid supply unit supplying a liquid to the substrate supported by the substrate support unit; an exhaust unit exhausting a fume generated in the treating space; an airflow supply unit coupled to a top side of the housing and supplying a gas to form a downward airflow to the inner space; and a perforated plate disposed between the treating container and the airflow supply unit and discharging the gas to the inner space, and wherein the perforated plate comprises: a bottom portion and a side portion, the side portion comprising a first side portion, and the first side portion extending and upwardly inclining from the bottom portion to a first sidewall of the housing, and having a first hole for discharging the gas.