WAFER DEPOSITION EQUIPMENT AND METHOD FOR DISCHARGING WAFER USING THE SAME

본 발명은 웨이퍼 증착 설비 및 이를 이용한 웨이퍼 제전 방법에 관한 것으로, 프로세스챔버의 샤워헤드에 관로를 매개로 연결되고, 상기 프로세스챔버의 외부에서 플라즈마를 생성하여 프로세스챔버로 플라즈마 가스를 공급하는 리모트플라즈마장치; 상기 리모트플라즈마장치에 관로를 매개로 연결되고, 상기 리모트플라즈마장치에 비활성가스를 공급하는 비활성가스공급원; 및 상기 리모트플라즈마장치의 작동을 제어하는 제어부;를 포함한다. 따라서, 웨이퍼를 손상없이 안전하게 제전하고 제전시 파티클의 발생을 방지할 수 있게 된다. The present invention relates to a wafer deposition apparatus and a wafer de-energizing method using the same, comprising: a remote plasma device which is connected to a shower head of a process chamber through a pipeline and generates a plasma having a lower intensity than a plasma for deposition outside the process chamber, supplying the generated plasma gas to the inside of the process chamber; the inert gas supply source is connected to the remote plasma device through a pipeline and supplies inert gas to the remote plasma device; and a control unit for controlling the operation of the remote plasma device. Therefore, safe de-electrification is performed on the wafer without damage, and particles can be prevented from being generated during de-electrification.