TiO2-SiO2 Method for manufacturing TiO2-SiO2 glass body and glass body menufactured thereby

TiO2-SiO2 유리체의 제조방법은, VAD 방식으로 이루어지는 퇴적 단계, 탈수 단계, 소결 단계, 성형 단계 및 어닐링 단계를 포함한다. 이 제조 방법을 통하여 제조된 TiO2-SiO2 유리체는, TiO2 의 농도가 3 ~ 10 질량 % 이고, OH 기의 농도가 최대 600 질량 ppm 이며, Ti3+ 의 농도가 최대 70 wtppm이고, 가상 온도는 최대 1200 ℃ 이며, 0 ~ 100 ℃ 에서 열팽창 계수 CTE0-100 는 0±150 ppb/℃ 이고, 400 ~ 700 nm 의 파장 대역에서 두께 1 mm 당 내부 투과...

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Hauptverfasser: LEE SEUNG HO, KIM JAE SUN, KIM U SIK, SHIN SANG YEOL, OH SUNG KOOG
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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creator LEE SEUNG HO
KIM JAE SUN
KIM U SIK
SHIN SANG YEOL
OH SUNG KOOG
description TiO2-SiO2 유리체의 제조방법은, VAD 방식으로 이루어지는 퇴적 단계, 탈수 단계, 소결 단계, 성형 단계 및 어닐링 단계를 포함한다. 이 제조 방법을 통하여 제조된 TiO2-SiO2 유리체는, TiO2 의 농도가 3 ~ 10 질량 % 이고, OH 기의 농도가 최대 600 질량 ppm 이며, Ti3+ 의 농도가 최대 70 wtppm이고, 가상 온도는 최대 1200 ℃ 이며, 0 ~ 100 ℃ 에서 열팽창 계수 CTE0-100 는 0±150 ppb/℃ 이고, 400 ~ 700 nm 의 파장 대역에서 두께 1 mm 당 내부 투과율 T400-700 은 80 % 미만인 TiO2 를 함유한 실리카계 유리체를 얻을 수 있다. 이러한 실리카계 유리체는, 공정에서 불소(F)가 이용되지 않기 때문에, 자연 대기에 포함된 수준의 함량의 불소를 포함한다. 예를 들어, 불소의 농도는 100 wtppm 미만이다.
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