Superlattice buffer structure and semiconductor device having the same

초격자 버퍼 구조체 및 이를 포함한 반도체 소자가 개시된다. 개시된 초격자 버퍼 구조체는, 렌즈계 복수 개의 초격자 블록을 포함하고, 상기 복수 개의 초격자 블록 각각은 Al(1-x)GaxN(0≤x≤1)를 포함하는 제1 층과, Al(1-y)GayN(0≤y≤1, x>y)를 포함하는 제2 층이 교대로 적층된 구조를 가진다. Provided are a superlattice buffer structure and a semiconductor device having the superlattice buffer structure. The superlattice buffer structure includes a plurality of superlattice blocks, and each of the plurality of superlattice blocks has a structure in which a first layer including Al(1−x)GaxN (0≤x≤1) and a second layer including Al(1−y)GayN (0≤y≤1, x>y) are alternately stacked on each other.