방사선 방출 컴포넌트 및 방사선 방출 컴포넌트를 생성하기 위한 방법

본 발명은 방사선 방출 컴포넌트에 관한 것이고, 그 방사선 방출 컴포넌트는 동작 동안 방사선 출사 표면으로부터 제1 파장 범위의 전자기 방사선을 방출하는 반도체 칩, 및 방사선 출사 표면을 포함하는 반도체 칩 커버 표면 상의 변환 요소를 갖고, 상기 변환 요소는 매트릭스 재료 및 그 매트릭스 재료에 통합되고 제1 파장 범위의 전자기 방사선을 제2 파장 범위의 전자기 방사선으로 변환하는 인광체 입자들을 포함한다. 변환 요소는 반도체 칩의 커버 표면의 면적과 동일하거나 또는 그보다 더 작은 면적을 갖는 지지 표면을 갖고, 전체 지지 표면은 반도체 칩의 커버 표면과 직접 접촉한다. 본 발명은 또한 방사선 방출 컴포넌트를 생성하기 위한 방법에 관한 것이다. The invention relates to a radiation-emitting component, having a semiconductor chip, which emits electromagnetic radiation of a first wavelength range from a radiation outlet surface during operation, and a conversion element on a semiconductor chip cover surface which comprises the radiation outlet surface, said conversion element containing a matrix material and phosphor particles which are integrated therein and which convert electromagnetic radiation of the first wavelength range into electromagnetic radiation of a second wavelength range. The conversion element has a support surface with an area which is equal to or smaller than the area of the cover surface of the semiconductor chip, and the entire support surface is in direct contact with the cover surface of the semiconductor chip. The invention also relates to a method for producing a radiation-emitting component.