비용 효율적인 비-다공성 고체 연마 패드를 사용하는 패드-인-어-보틀 화학적 기계적 평탄화 연마

신규 패드-인-어-보틀(PIB) 기술 및 PIB 유형 첨단 화학-기계적 평탄화(CMP) 구리 또는 관통 실리콘 비아(TSV) CMP 조성물, 시스템 및 공정이 개시되었다. 기존의 연마 패드 돌기의 역할은 연마 패드 내 기공 및 돌기의 크기와 비슷한 고품질 마이크론 크기 폴리우레탄(PU) 비드에 의해 수행된다. 저렴한 비-다공성, 및 고체 연마 패드는 저렴하여, 전자 디바이스 제조 비용을 감소시키기 위해 사용되었다. 비-PIB 유형 Cu CMP 슬러리를 사용하는 것에 비해 PIB-유형 Cu CMP 슬러리를 사용하는 것의 이점이 있다. PIB 유형 Cu CMP 슬러리를 사용하여, 상이한 인가된 하향력 및 슬라이딩 속도에서 증가된 Cu 제거율, 상이한 크기의 Cu 라인 피쳐에 걸쳐 감소된 Cu 라인 디싱, 및 약간 감소된 평균화된 COF가 관찰되었다. A novel pad-in-a-bottle (PIB) technology and PIB-type advanced chemical-mechanical planarization (CMP) Copper or THROUGH-SILICON VIA (TSV) CMP compositions, systems and processes have been disclosed. The role of conventional polishing pad asperities is played by high-quality micron-size polyurethane (PU) beads that are comparable to the sizes of pores and asperities in polishing pads. The less expensive non-porous, and solid polishing pads were less expensive, have been employed for reducing electronic device fabrication cost. There are benefits for using PIB-type Cu CMP slurries vs Non-PIB type Cu CMP slurries. Increased Cu removal rates at different applied down forces and sliding velocities, reduced Cu line dishing across different sized Cu line features and slightly reduced averaged COF have been observed using PIB-type Cu CMP slurries.