METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE AND DISPLAY DEVICE

표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 발광 소자층을 형성하는 단계, 상기 발광 소자층 상에 비스무스(Bi)와 이터븀(Yb)을 공증착하여 제1 무기 흡수층을 형성하는 단계, 및 상기 제1 무기 흡수층 상에 반사 조정층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 공증착하는 단계에서 비스무스(Bi)의 증착 온도는 500℃내지 850℃이고, 이터븀(Yb)의 증착 온도는 300℃내지 550℃이고, 상기 제1 무기 흡수층의 소광 계수는 3 이하이다. A manufacturing method of a display device includes forming a light emitting element layer on a substrate, co-depositing bismuth (Bi) and ytterbium (Yb) on the light emitting element layer to form a first inorganic absorbing layer, and forming a reflection control layer on the first inorganic absorbing layer. In the co-depositing, a deposition temperature of bismuth (Bi) is in a range of about 500° C. to about 850° C., a deposition temperature of ytterbium (Yb) is in a range of about 300° C. to about 550° C., and an extinction coefficient of the first inorganic absorbing layer is less than or equal to about 3.