III III-NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

본 개시의 일 실시예는 III족 질화물 반도체 발광 소자로서, 기판 상에 n형 반도체층; 발광층; p형 AlGaN 전자 차단층; 및 p형 반도체층;을 순차적으로 포함하고, 상기 p형 AlGaN 전자 차단층의 평균 Al 조성비는 0.5 이상 0.9 이하이며, Al 조성이 서로 다른 제1 질화물층(AlxGaN) 및 제2 질화물층(AlyGaN)이 서로 교대로 적층된 구조이고, 상기 제1 질화물층(AlxGaN, x>y)의 두께는 상기 p형 반도체층에 가까울수록 얇아지는 형태인, III족 질화물 반도체 발광 소자를 제공하고자 한다....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	TAEWAN KWON, JAEHYEOK LEE, HAEJIN PARK, YOUNJOON SUNG
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 개시의 일 실시예는 III족 질화물 반도체 발광 소자로서, 기판 상에 n형 반도체층; 발광층; p형 AlGaN 전자 차단층; 및 p형 반도체층;을 순차적으로 포함하고, 상기 p형 AlGaN 전자 차단층의 평균 Al 조성비는 0.5 이상 0.9 이하이며, Al 조성이 서로 다른 제1 질화물층(AlxGaN) 및 제2 질화물층(AlyGaN)이 서로 교대로 적층된 구조이고, 상기 제1 질화물층(AlxGaN, x>y)의 두께는 상기 p형 반도체층에 가까울수록 얇아지는 형태인, III족 질화물 반도체 발광 소자를 제공하고자 한다.