Nonvolatile memory device and method of operating the nonvolatile memory device
본 개시의 전압 생성기(voltage generator)를 포함하는 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법은, 제1 워드 라인 노드의 전압 레벨 및 제2 워드 라인 노드의 전압 레벨의 차이를 계산하는 단계, 상기 전압 레벨의 차이에 기초하여 상기 전압 생성기의 제1 레퍼런스 전압 레벨(reference voltage level)을 제2 레퍼런스 전압 레벨로 변경하는 단계 및 상기 제1 레퍼런스 전압 레벨 및 상기 제2 레퍼런스 전압 레벨 중 어느 하나에 기초하여 타겟 전압 레벨(target voltage level)을 결정하는 단계를 포...
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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