Nonvolatile memory device and method of operating the nonvolatile memory device

본 개시의 전압 생성기(voltage generator)를 포함하는 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법은, 제1 워드 라인 노드의 전압 레벨 및 제2 워드 라인 노드의 전압 레벨의 차이를 계산하는 단계, 상기 전압 레벨의 차이에 기초하여 상기 전압 생성기의 제1 레퍼런스 전압 레벨(reference voltage level)을 제2 레퍼런스 전압 레벨로 변경하는 단계 및 상기 제1 레퍼런스 전압 레벨 및 상기 제2 레퍼런스 전압 레벨 중 어느 하나에 기초하여 타겟 전압 레벨(target voltage level)을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제1 워드 라인 노드가 상기 제2 워드 라인 노드보다 상기 전압 생성기의 출력단으로부터 더 가까울 수 있다. Provided is a method of operating a nonvolatile memory device including a voltage generator, the method including calculating a difference between a voltage level of a first word line node and a voltage level of a second word line node, changing a first reference voltage level of the voltage generator to a second reference voltage level based on the difference between the voltage levels, and determining a target voltage level based on any one of the first reference voltage level and the second reference voltage level. The first word line node may be closer from an output terminal of the voltage generator than the second word line node.