IMAGE SENSOR

본 발명의 기술적 사상은, 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 갖고, 제1 광전 변환 영역을 포함하는 기판; 상기 제1 면으로부터 수직 방향으로 상기 기판 내에 배치되고, 상기 제1 광전 변환 영역을 정의하는 분리 영역을 포함하고, 상기 분리 영역은, 트렌치; 상기 트렌치의 내벽을 콘포멀하게 덮는 제1 반도체 패턴; 상기 제1 반도체 패턴의 내벽을 콘포멀하게 덮는 절연막; 상기 절연막의 하부의 내벽을 콘포멀하게 덮는 제2 반도체 패턴; 및 상기 절연막의 상부의 내벽과 상기 제1 반도체 패턴의 최상면 및 내벽을 덮고, 음의 바이어스...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	YOO SEUNG HWI, BAE BYEONG TAEK, KIM KOOK TAE, KIM JIN GYUN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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