IMAGE SENSOR

본 발명의 기술적 사상은, 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 갖고, 제1 광전 변환 영역을 포함하는 기판; 상기 제1 면으로부터 수직 방향으로 상기 기판 내에 배치되고, 상기 제1 광전 변환 영역을 정의하는 분리 영역을 포함하고, 상기 분리 영역은, 트렌치; 상기 트렌치의 내벽을 콘포멀하게 덮는 제1 반도체 패턴; 상기 제1 반도체 패턴의 내벽을 콘포멀하게 덮는 절연막; 상기 절연막의 하부의 내벽을 콘포멀하게 덮는 제2 반도체 패턴; 및 상기 절연막의 상부의 내벽과 상기 제1 반도체 패턴의 최상면 및 내벽을 덮고, 음의 바이어스 전압이 인가되는 도전패턴을 포함하고, 상기 제1 면으로부터 상기 제1 반도체 패턴의 최상면까지의 수직 거리는, 상기 제1 면으로부터 상기 도전패턴의 최상면까지의 수직 거리와 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 이미지 센서. Provided is an image sensor including a substrate including a first photoelectric conversion region, and an isolation region arranged in the substrate vertically from the first surface and defining the first photoelectric conversion region, wherein the isolation region includes a first semiconductor pattern conformally covering an inner wall of a trench, an insulating film conformally covering an inner wall of the first semiconductor pattern, a second semiconductor pattern conformally covering an inner wall of a lower portion of the insulating film, and a conductive pattern covering an inner wall of an upper portion of the insulating film and an uppermost surface and an inner wall of the second semiconductor pattern, wherein a vertical distance from the first surface to the uppermost surface of the first semiconductor pattern is substantially the same as a vertical distance from the first surface to the uppermost surface of the conductive pattern.