용량 커플링 챔버를 위한 코팅 부품

기판을 프로세싱하기 위한 장치가 제공된다. 용량 커플링 플라즈마 (capacitively coupled plasma; CCP) 전극은 용량 커플링 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 있다. 플라즈마 한정 (confinement) 컴포넌트는 용량 커플링 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 있고, 용량 커플링 플라즈마 전극 및 플라즈마 한정 컴포넌트 중 적어도 하나는 플라즈마 대면 표면을 갖는 금속 컴포넌트 바디 및 플라즈마 대면 표면 위의 플라즈마 스프레이 코팅을 포함한다. An apparatus for processing a substrate i...

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Hauptverfasser: SONG YIWEI, WETZEL DAVID JOSEPH, LIU LEI, BRIGGS SCOTT, SRINIVASAN SATISH, BAILEY ANDREW D. III, KERNS JOHN MICHAEL, XU LIN, KINSLER MICHAEL JULIUS, KOSHY ROBIN
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:기판을 프로세싱하기 위한 장치가 제공된다. 용량 커플링 플라즈마 (capacitively coupled plasma; CCP) 전극은 용량 커플링 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 있다. 플라즈마 한정 (confinement) 컴포넌트는 용량 커플링 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 있고, 용량 커플링 플라즈마 전극 및 플라즈마 한정 컴포넌트 중 적어도 하나는 플라즈마 대면 표면을 갖는 금속 컴포넌트 바디 및 플라즈마 대면 표면 위의 플라즈마 스프레이 코팅을 포함한다. An apparatus for processing a substrate is provided. A capacitively coupled plasma electrode is within a capacitively coupled plasma processing chamber. A plasma confinement component is within the capacitively coupled plasma processing chamber, wherein at least one of the capacitively coupled plasma electrode and plasma confinement component comprises a metal component body with a plasma facing surface and a plasma spray coating over the plasma facing surface.