KrF 광원 후막 포토레지스트 조성물, 이의 제조 방법 및 이의 사용 방법

본 발명은 KrF 광원 후막 포토레지스트 조성물, 이의 제조 방법 및 이의 사용 방법을 개시한다. 구체적으로, 본 발명은 식 I로 표시되는 광산 발생제를 포함하는 KrF 광원 후막 포토레지스트 조성물, 이의 제조 방법 및 이의 사용 방법을 개시한다. 상기 포토레지스트 조성물에 의해 형성된 포토레지스트 필름은 직사각형성이 우수하다. JPEGpct00042.jpg5769 Disclosed are a KrF light source thick film photoresist composition, a preparation method the...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	FANG SHUNONG, GENG ZHIYUE, WANG SU
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 KrF 광원 후막 포토레지스트 조성물, 이의 제조 방법 및 이의 사용 방법을 개시한다. 구체적으로, 본 발명은 식 I로 표시되는 광산 발생제를 포함하는 KrF 광원 후막 포토레지스트 조성물, 이의 제조 방법 및 이의 사용 방법을 개시한다. 상기 포토레지스트 조성물에 의해 형성된 포토레지스트 필름은 직사각형성이 우수하다. JPEGpct00042.jpg5769 Disclosed are a KrF light source thick film photoresist composition, a preparation method therefor and a use method thereof. Specifically, disclosed are a KrF thick film photoresist composition containing a photo-acid generator represented by formula (I), a preparation method therefor and a use method thereof. Photoresist film formed from the photoresist composition has good rectangularity.