백엔드 적용을 위한 패드-인-어-보틀 및 단일 플래튼 화학적 기계적 평탄화

백엔드 CMP 적용을 위한 다중(예컨대 3개) 플래튼 화학적 기계적 평탄화(CMP) 공정을 대체하기 위한 신규한 패드-인-어-보틀(PIB) 기술 및 백엔드 CMP 적용을 위한 PIB형 CMP 슬러리를 사용하는 단일 플래튼 화학적 기계적 평탄화(CMP) 공정이 설명된다. 단일 연마 패드를 갖는 단일 플래튼이 금속 벌크, 금속 소프트 랜딩 및 금속 배리어 CMP를 포함하는 전체 백엔드 CMP 공정에 사용된다. A single platen Chemical Mechanical Planarization (CMP) process using a...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SCHLUETER JAMES A, LANGAN JOHN G, PHILIPOSSIAN ARA, SHI XIAOBO, O'NEILL MARK LEONARD, VACASSY ROBERT, SAMPURNO YASA
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	ADHESIVES BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY DYES ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS MISCELLANEOUS COMPOSITIONS NATURAL RESINS PAINTS POLISHES POLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH SEMICONDUCTOR DEVICES SKI WAXES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	백엔드 CMP 적용을 위한 다중(예컨대 3개) 플래튼 화학적 기계적 평탄화(CMP) 공정을 대체하기 위한 신규한 패드-인-어-보틀(PIB) 기술 및 백엔드 CMP 적용을 위한 PIB형 CMP 슬러리를 사용하는 단일 플래튼 화학적 기계적 평탄화(CMP) 공정이 설명된다. 단일 연마 패드를 갖는 단일 플래튼이 금속 벌크, 금속 소프트 랜딩 및 금속 배리어 CMP를 포함하는 전체 백엔드 CMP 공정에 사용된다. A single platen Chemical Mechanical Planarization (CMP) process using a novel pad-in-a-bottle (PIB) technology and PIB type CMP slurries for back-end CMP application is described to replace multiple (such as three) platens Chemical Mechanical Planarization (CMP) process for back-end CMP applications. The single platen with a single polishing pad is used for the whole back-end CMP process comprising metal bulk, metal soft landing, and metal barrier CMP.