INTERCONNECT STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

본 발명의 기술적 사상은 절연층; 상기 절연층의 내부에 배치되며, 라운드 형상의 단면 프로파일을 가지는 배리어 막; 및 상기 절연층의 내부에 배치되며, 상기 배리어 막과 접하고, 상기 배리어 막에 의해 정의되는 공간의 내부를 채우는 금속 패턴;을 포함하고, 상기 금속 패턴의 최장폭의 절반 대비 금속 패턴의 두께인 상기 금속 패턴의 형상 계수(shape factor)가 1.3 이상인 것을 특징으로 하는 배선 구조물을 제공한다....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	JANG SUNG HO, KIM DONG WOOK, SUH MIN KYU, HONG JUNG PYO, LEE DO KEUN, NAM SANG KI, YOO SU YOUNG, LEE GEON YEOP, PARK SANG WUK, KIM YANG DOO
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명의 기술적 사상은 절연층; 상기 절연층의 내부에 배치되며, 라운드 형상의 단면 프로파일을 가지는 배리어 막; 및 상기 절연층의 내부에 배치되며, 상기 배리어 막과 접하고, 상기 배리어 막에 의해 정의되는 공간의 내부를 채우는 금속 패턴;을 포함하고, 상기 금속 패턴의 최장폭의 절반 대비 금속 패턴의 두께인 상기 금속 패턴의 형상 계수(shape factor)가 1.3 이상인 것을 특징으로 하는 배선 구조물을 제공한다.