SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME

본 발명 개념의 일부 실시예들에 따른 반도체 장치는 서로 교대로 적층되는 절연 패턴 및 도전 패턴을 포함하는 게이트 적층 구조체; 상기 게이트 적층 구조체를 관통하는 메모리 채널 구조체; 상기 게이트 적층 구조체 상의 선택 라인 구조체; 및 상기 선택 라인 구조체를 관통하는 선택 채널 구조체를 포함한다. 상기 선택 채널 구조체는 상기 메모리 채널막에 전기적으로 연결되는 선택 채널막 및 상기 선택 채널막을 둘러싸는 선택 절연 구조체를 포함한다. 상기 선택 채널막은 상기 메모리 채널 구조체 상의 연결부 및 상기 연결부 상의 필라부를 포함한다. 상기 연결부의 그레인들의 평균 크기는 상기 필라부의 그레인들의 평균 크기보다 작다. A semiconductor device may include a gate stack including insulating and conductive patterns, which are alternately stacked on top of each other, a memory channel structure penetrating the gate stack, a selection line structure on the gate stack, and a selection channel structure penetrating the selection line structure. The selection channel structure may include a selection channel layer, which is electrically connected to the memory channel layer, and a selection insulating structure, which encloses the selection channel layer. The selection channel layer may include a connecting portion on the memory channel structure and a pillar portion on the connecting portion, and an average size of grains in the connecting portion may be less than an average size of grains in the pillar portion.