효율적인 워드 라인 훅업을 갖춘 비휘발성 메모리

3차원 비휘발성 메모리 구조는 블록으로 배열된 비휘발성 메모리 셀에 연결된 워드 라인을 포함한다. 복수의 워드 라인 스위치는 워드 라인과 하나 이상의 전원에 연결된다. 워드 라인 스위치는 X개 워드 라인 스위치의 그룹으로 배열되어, X개 워드 라인 스위치의 각 그룹이 비휘발성 메모리 셀의 Y개 블록 아래 일렬로 위치되고, 비휘발성 메모리 셀의 Y개 블록의 폭과 동일한 길이를 갖도록 한다(여기서 X>Y). A three dimensional non-volatile memory structure includes word lines connected to non-volatile memory cells arranged in blocks. A plurality of word line switches are connected to the word lines and one or more sources of voltage. The word line switches are arranged in groups of X word line switches such that each group of X word line switches is positioned in a line under Y blocks of non-volatile memory cells and has a length that is equal to the width of the Y blocks of non-volatile memory cells, where X>Y.