기판에 탄소 함유막을 성막하는 장치 및 방법

VHF대 또는 UHF대의 고주파 전력을 사용하여 양질의 탄소 함유막을 성막하는 기술을 제공한다. 기판에 탄소 함유막을 성막하는 장치는, 상기 기판이 적재됨과 함께, 하부 전극을 구성하는 적재대와, 상기 탄소 함유막의 성막 가스를 공급하기 위해서 마련됨과 함께, VHF대 또는 UHF대의 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원에 접속되어 상부 전극을 구성하는 가스 샤워 헤드를 구비하고, 상기 적재대와 상기 가스 샤워 헤드와의 사이의 간극 거리는, 상기 가스 샤워 헤드로부터, 상기 처리 용기 내로 상기 성막 가스를 공급함과 함께, 상기 고주파 전원으로부터 상기 상부 전극에 고주파 전력을 공급하여 형성되는 상기 성막 가스의 플라스마 표피 깊이의 1배 이상, 4배 이하의 범위 내의 거리에 설정되어 있다. Provided is a technology for using high-frequency power in the VHF or UHF band to form a good-quality carbon-containing film. According to the present invention, a device that forms a carbon-containing film on a substrate comprises a mounting stand on which the substrate is mounted and a gas shower head for supplying a film formation gas for the carbon-containing film, the mounting stand constituting a lower electrode, and the gas shower head constituting an upper electrode and being connected to a high-frequency power supply that supplies high-frequency power in the VHF or UHF band. The distance between the mounting stand and the gas shower head is set to be 1-4 times the skin depth of the film formation gas plasma formed by supply of the film formation gas into a processing container from the gas shower head and supply of the high-frequency power to the upper electrode from the high-frequency power supply.