PHOTO DIODE CAPABLE OF ENHANCING INTENSITY OF VISIBLE LIGHT IN SHORT-WAVELENGTH REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

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본 개시는 포토 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 일 실시예에 따른 포토 다이오드는 기판, 상기 기판의 제1 면의 내측에 위치하는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층에 연결되어 있는 제1 전극, 상기 기판의 제2 면의 내측에 위치하는 제2 반도체층, 및 상기 제2 반도체층에 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 반도체층은 평면상에서 패턴에 의해 둘러싸여 있는 개구부를 포함한다....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: LEE JEONG YOUNG, CHO YONGGYUN, LEE CHUL HONG, GOH SUNG MIN, LEE SEUNG WOO, PARK JEONG IL
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 개시는 포토 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 일 실시예에 따른 포토 다이오드는 기판, 상기 기판의 제1 면의 내측에 위치하는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층에 연결되어 있는 제1 전극, 상기 기판의 제2 면의 내측에 위치하는 제2 반도체층, 및 상기 제2 반도체층에 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 반도체층은 평면상에서 패턴에 의해 둘러싸여 있는 개구부를 포함한다.