Large-area microwave plasma source

본 발명은 대면적 초고주파 플라스마 여기장치에 관한 것으로서, 상단에 슬롯이 길이 방향으로 형성된 도파관; 상기 도파관 일측에 설치되어 상기 도파관 내부에 마이크로웨이브 정상파(이하 '정상파')를 형성시키는 마이크로웨이브 소스; 상기 도파관에 연결되는 캐리어가스 주입부; 상기 슬롯의 정상파 최대값 위치에 형성되는 전극; 상기 전극에 연결되는 전원을 포함하여 구성되어, 상기 도파관의 정상파 최대값 위치에서 대기압 플라스마를 여기시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하여, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	CHO CHU HYUN, HAN SEONG TAE, CHA JU HONG
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY PLASMA TECHNIQUE PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 대면적 초고주파 플라스마 여기장치에 관한 것으로서, 상단에 슬롯이 길이 방향으로 형성된 도파관; 상기 도파관 일측에 설치되어 상기 도파관 내부에 마이크로웨이브 정상파(이하 '정상파')를 형성시키는 마이크로웨이브 소스; 상기 도파관에 연결되는 캐리어가스 주입부; 상기 슬롯의 정상파 최대값 위치에 형성되는 전극; 상기 전극에 연결되는 전원을 포함하여 구성되어, 상기 도파관의 정상파 최대값 위치에서 대기압 플라스마를 여기시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하여, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 대면적 확장성이 우수하면서 active species 발생량이 풍부한 대면적 초고주파 플라스마 여기장치가 제공되는 이점이 있다.