기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

기판 처리 방법은, 기판의 표면 전체에 제1 처리액의 패들이 형성된 상태에서, 기판의 표면에 국소적으로 설정된 타깃 영역을 향해서 노즐로부터 제2 처리액을 국소적으로 토출하는 것에 의해, 타깃 영역의 에칭 레이트가 기타의 영역의 에칭 레이트와 다르게 에칭을 행하는 제1 에칭 공정과, 기판을 회전시키면서 기판의 표면 전체가 에칭액의 액막에 의해 덮이도록 에칭액을 공급함으로써, 기판의 표면 전체를 동시에 에칭하는 제2 에칭 공정을 구비하고, 제1 에칭 공정에서 사용되는 제1 처리액 및 제2 처리액 중 한쪽이 에칭액이며, 다른 쪽이 에칭액과 혼합됨으로써 에칭액에 의한 기판의 표면 에칭 레이트를 저하시키는 에칭 억제액이다. A substrate processing method including a first etching process of performing etching, where a first process liquid paddle is formed on an entire surface of a substrate, by locally discharging a second process liquid from a nozzle toward a target area locally set on the substrate surface, such that an etching rate in the target area differs from that in other areas; and a second etching process of etching the entire surface of the substrate simultaneously by supplying an etching liquid so that the entire surface of the substrate is covered with a liquid film of the etching liquid while rotating the substrate, wherein one of the first and second process liquids used in the first etching process is the etching liquid, and the other is an etching inhibitor liquid that lowers an etching rate of the substrate surface by the etching liquid when mixed with the etching liquid.